MẠCH TẠO ĐIỆN ÁP THAM CHIẾU ỔN ĐỊNH ĐẠT ĐƯỢC 6.8 ppm/oC TRÊN CÔNG NGHỆ CMOS 180 nm
نویسندگان
چکیده
Bài báo này trình bày về thiết kế mạch tạo điện áp tham chiếu ổn định (Bandgap Voltage Reference: BGR) không phụ thuộc vào sự thay đổi của quy công nghệ, nhiệt độ và nguồn cung cấp (Process, Temperature, Voltage: PVT) ứng dụng cho các tử yêu cầu có chính xác cao tích hợp trên chip. Mạch BGR đề xuất đạt được hệ số (Temperature Coefficient: TC) thấp bằng cách kết sử khuếch đại thuật toán (Operational Amplifier: OPA) kỹ điều chỉnh đầu ra. Ngoài ra, OPA với phân bóng bán dẫn nằm bên trong nên tăng khả năng ra nghệ CMOS 180 nm. Kết quả mô phỏng thể hiện 0,6 V tiêu thụ suất 54,36 µW 1,8 V. Hệ trung bình là 6,8 ppm/oC khoảng rộng từ -40oC đến 125oC chất lượng tuyến tính 0,12 %/V. Tỷ loại bỏ tạp âm tại 1 kHz, 100 kHz MHz tương 51,3 dB, 32,4 dB 20,1 dB.
منابع مشابه
Báo cáo Thuyết minh về Dự thảo sửa đổi Hiến pháp năm 1992
I. CÁC VẤN ÐỀ CHUNG 1. Sự cần thiết và mục đích, yêu cầu sửa đổi Hiến pháp năm 1992 Hiến pháp năm 1992 được ban hành trong bối cảnh những năm đầu thực hiện công cuộc đổi mới đất nước do Ðại hội đại biểu toàn quốc lần thứ VI của Ðảng (năm 1986) đề ra và để thể chế hóa Cương lĩnh xây dựng đất nước trong thời kỳ quá độ lên chủ nghĩa xã hội năm 1991. Hiến pháp năm 1992 đã tạo cơ sở chính trị pháp l...
متن کاملLearning Compositional Semantics for Open Domain Semantic Parsing
This paper introduces a new approach to learning compositional semantics for open domain semantic parsing. Our approach is called Dependency-based Semantic Composition using Graphs (DeSCoG) and deviates from existing approaches in several ways. First, we remove the need of the lambda calculus by using a graph-based variant of Discourse Representation Structures to represent semantic building bl...
متن کاملToward More Accurate Scaling Estimates of CMOS Circuits from 180 nm to 22 nm
With deep submicron technology nodes other methods are needed to obtain scaling factors rather than the traditional scaling factors which held for the pre-submicron era. This work presents scaling factors between major technology nodes between 180 nm and 22 nm operating at voltages from 1.8 V to 0.7 V. Common operating data for these technologies were taken from the International Technology Roa...
متن کاملScaling equations for the accurate prediction of CMOS device performance from 180 nm to 7 nm
Classical scaling equations which estimate parameters such as circuit delay and energy per operation across technology generations have been extremely useful for predicting performance metrics as well as for comparing designs across fabrication technologies. Unfortunately in the CMOS deep-submicron era, the classical scaling equations are becoming increasingly less accurate and new practical sc...
متن کاملEfficient Pixel Architecture of CMOS Image Sensor using CMOS 180 nm technology
This paper describes CMOS Active Pixel Sensor (APS) that has huge demand in imaging systems. The pixel architecture consists of number of NMOS transistors and reverse biased p-n junction diode act as photo sensing element designed in 0.18um CMOS technology. The (64 H X64 V ) pixel array have presented and described. The sensor design contains 5T pixel architecture to investigate the effects by ...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: T?p chí Khoa h?c & Công ngh?
سال: 2022
ISSN: ['1859-2171', '2734-9098', '2615-9562']
DOI: https://doi.org/10.34238/tnu-jst.6326